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老司机深夜开车福利app下载安装 从2D到3D:半导体欧美 视频 日韩 精品 在线工艺与DTCO

作者:ZongYu 时间:2023-12-15 来源:EEPW 收藏

前言

本文引用地址:http://m724b.sbs/article/202312/453922.htm

在马上要过去的 2023 年,全球的通货膨胀伴随消费需求的下滑, 2023 年全球产业预估将整体营收同比下滑 12.5% 。但是在 2024 年,随着多家机构给出半导体产业将触底反弹的预测,整个半导体市场将迎来成长,预估明年产业营收将有 6.4% 的增幅。而长期来看,半导体欧美 视频 日韩 精品 在线领域也是会总体保持增长。未来,芯片将越来越变得无处不在,价值越来越高,重要性也越来越高,在社会中逐渐变成引导社会变革的核心力量之一。

就此中国区总经理罗镇球在 ICCAD2023 就表示:“整个半导体在 2000 年的时候全球产值做到了 2000 亿美金左右, 2010 年到了 3000 亿,今年肯定仍旧超过 4000 亿。我刚刚跟各位说明了半导体应用正在逐步铺开,现有半导体应用产品使用的半导体数量逐步在增加,我们可以非常乐观地预估,在 2030 年之前球半导体产业产值肯定可以超过 1 万亿美金,这是一个非常有希望的行业。”

然而,增长不会天上掉下来的馅饼,在增长的背后是无数科研人员的付出和企业中巨大的科研资金投入。以欧美 视频 日韩 精品 在线行业的龙头老大,为例,每年花 300 亿美金做资本支出,同时有超过 8000 位研发人员,在整个 2023 年欧美 视频 日韩 精品 在线在研发领域就花费了超过 55 亿美元。

如此巨大的科研投资,欧美 视频 日韩 精品 在线的研究力量主要专注于两个方向,一是 2D 的平面式微缩推进到 3D 的整合;二是提升芯片的高能效表现。

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我们先来谈谈什么是 2D 的平面式微缩推进到 3D 的整合”。当各位稍微了解一些前者,对于后者的疑问自然会迎刃而解。

1959 年, MOSFET 被发明, 1963 CMOS 被发明,从此更高的能效和更好的散热成了芯片设计,这门“新学科”永恒的话题。所谓微缩,顾名思义,就是晶体管尺寸的逐渐缩小。根据 Dennard 1974 年对 CMOS 缩放 (CMOS scaling) 原理进行的总结,结合摩尔定律为微电子行业提供了科学的缩放 (scaling) 方向。 Dennard 缩放原理指出:当晶体管尺寸缩小半时 , 晶体管的性能 ( 如速度、功耗等 ) 将会提升约一倍 , 同时保持电压不变。这意味着 , 通过不断缩小晶体管的尺寸,我们可以在同样的芯片面积内集成更多的晶体管从而提升芯片的性能。

而随着晶体管尺寸的不断缩小,其也带来了一些难题,一是控制精度和机械加工精度要达到纳米级别,目前随着先进光刻机的应用,晶体管的尺寸缩小已经逐渐达到瓶颈,而这种瓶颈还没有看到能完美突破方向;第二个难题则是芯片散热困难,线路密集会使芯片温度升高,会使微型器件失去正常的功能。而为了解决这些问题,芯片开始从 2D 3D 发展。

首先,我们先要了解一下,什么是芯片的 ”。芯片从设计到生产再到消费者手中是个极其复杂的过程,设计公司做完逻辑和物理设计,将最终设计结果交给芯片代工厂。代工厂经过无数复杂的流程,最终会在一块大的晶圆上做出许许多多的小芯片。而这一个个的小芯片,则被称为“ die ”。为什么要叫这么一个不吉利的名字?有一种说法是说,早期芯片生产工艺水平不足,切割出的芯片良品率很低,经常就“ die ”了,因此,工程师们才给它取了这么一个自嘲的名字。而从这个“小道消息”中,各位读者应该能意识到, die 非常非常脆弱,因此不能直接使用,需要再给它加上一层保护壳,而这个过程,就叫做“”。简单点说,技术需要将 die 固定在基板( substrate )上,然后将 die 上的引脚连接到芯片外壳的引脚上。

最基础的欧美 视频 日韩 精品 在线工艺即为:引线键合( wire-bonding )欧美 视频 日韩 精品 在线,其整体上十分简单,就是把 die 正面朝上固定到基板之上,再用导线,将 die 的引脚和基板连接(称之为‘键合’),最后把整个芯片欧美 视频 日韩 精品 在线起来,密封用的材料有塑料,陶瓷等。这种欧美 视频 日韩 精品 在线技术的优点是生产工艺相对简单,成本较低;缺点是欧美 视频 日韩 精品 在线完的芯片尺寸比 die 的尺寸大许多,且芯片管脚数受限。 image.png

引线键合( wire-bonding )欧美 视频 日韩 精品 在线

之后,随着技术的进步,又出现了 “倒装”,即将 die 的正面朝下,提前做好焊点的技术,倒装的应用使得欧美 视频 日韩 精品 在线尺寸和芯片接近,并且有更多的引脚,但是随着芯片功能越来越多, I/O 数量急剧增加,传统的欧美 视频 日韩 精品 在线已经难以满足要求。后来据此还衍生出了 Fan-Out WLP Wafer Level Packages ),也叫 FOWLP 技术,但是文章篇幅有限,有兴趣的读者可以自行了解。

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上文中所言都是单独 die 的欧美 视频 日韩 精品 在线,一颗完整的现代芯片,单个 die 是远远不够的,需要将多个 die 欧美 视频 日韩 精品 在线在一起,而这之中的欧美 视频 日韩 精品 在线方式便是 2D 2.5D 3D 欧美 视频 日韩 精品 在线。

2D 欧美 视频 日韩 精品 在线技术

最简单的办法,便是最简单的 2D 欧美 视频 日韩 精品 在线”,即:将多颗 die 正面朝下,焊接到基板上, die die 之间的互连就靠基板上的走线。这种办法的缺点是基板上的布线密度低,因此 die die 之间的互连受限。而为了解决布线密度的问题,芯片欧美 视频 日韩 精品 在线来到了 2.5D 阶段。

2.5D 欧美 视频 日韩 精品 在线技术

2.5D 欧美 视频 日韩 精品 在线之中的代表就是欧美 视频 日韩 精品 在线推出的 CoWoS 技术。欧美 视频 日韩 精品 在线为了解决 die die 之间的布线密度问题,在 die 和基板之间加入了一层“硅中介层”。 Die die 之间并不直接连接,而是与中介层连接,也就是说硅中介层充当了 die-die 互连和 die-substrate 互连角色。由于中介层的布线可以直接使用制造,因此其布线密度得以大幅提升。这种技术的缺点也是十分明显,由于中介层也是使用制造,其成本很难下降,其面积也严重受到的限制,很难做大。

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2.5D欧美 视频 日韩 精品 在线

随后,为了降低这成本不低的中介层面积,英特尔发明了 EMIB ,将 die-die 的互连用“硅桥( Si Bridge )”实现,且硅桥嵌入在基板内部, die-substarte 的连接通过传统方法实现。这种做法可以大大降低硅中介层的面积,减少成本,减轻多 die 欧美 视频 日韩 精品 在线的限制。

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英特尔 EMIB欧美 视频 日韩 精品 在线

从上文中的描述中各位读者也许可以发现,无论是 2D 欧美 视频 日韩 精品 在线还是 2.5D 欧美 视频 日韩 精品 在线,所有的 die 都是在同一平面之内,所以,这也就注定了要想用更多的 die ,就要更大的欧美 视频 日韩 精品 在线面积,这对于需要小型化的芯片来说无疑是背道而驰,注定了一颗芯片中不能有太多 die 。那怎么办呢?工程师们给出了他们的解决方案:把 die 像大楼一样,垒起来!

2D 3D ,这就是一个很大的进步。 2D 3D ,包含晶体管的架构,从原来平坦式的晶体管,变成已经现在立体式晶体管。除了在芯片上的晶体管开始变成 3D 之外,欧美 视频 日韩 精品 在线部分也把它变成了 3D

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3D 欧美 视频 日韩 精品 在线中,工程师们通过垂直堆叠芯片 , 用更短的互连和高带宽连接起来,进一步弥补了二维欧美 视频 日韩 精品 在线设计中的缺陷。在传统的 2D 欧美 视频 日韩 精品 在线中,往往需要大量远距离连线,电路中控制电容、电阻的充放电造成的信号延迟,即 RC 延时难以控制。为了提高信号传输速度,必须降低 RC 延迟,那么用 3D 欧美 视频 日韩 精品 在线的短程垂直互连来替代 2D 欧美 视频 日韩 精品 在线的长程互连是欧美 视频 日韩 精品 在线工艺技术向更高阶发展的必然趋势。

而实现在 3D 欧美 视频 日韩 精品 在线的关键技术就是 TSV 硅通孔技术。简单来讲, TSV 技术通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通,通过导电物质的填充实现硅通孔的垂直电气互联,它是目前唯一能实现垂直电互联的技术。这种技术看上去十分完美,但是难度太高,成本太大。试想一下,在又薄又脆弱的玻璃片上打很多通孔,再把这些经过处理之后更加脆弱的芯片垒成“摩天大楼”,听着就十分困难。因此, TSV 技术在 1958 年被威廉·肖特基 (William Shockley) 第一次申请专利之后,直到 40 多年后的 21 世纪才逐渐走向商用, 2000 年,日本分别率先研发出第一款三层堆叠的图像传感器和三层堆叠的存储器件。 2005 年, 10 层堆叠的存储芯片被研制出来。 2007 年集成 TSV CIS 芯片由 Toshiba 公司量产商用,同年 ST Microelectronics Toshiba 一起推出 8 层堆叠的 NAND 闪存芯片。 2013 年第一款 HBM 存储芯片由韩国 Hynix 推出。 2015 年,第一款集成 HBM GPU AMD 推出。

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目前,所有的 3D 欧美 视频 日韩 精品 在线技术都是基于 TSV 技术之上,随着市场对于芯片算力要求的不断提高,和摩尔定律逐渐难以“遵守”的压力各大厂商纷纷推出自己的技术,比较有代表性的是欧美 视频 日韩 精品 在线的 SoIC 技术和英特尔的 Foveros 技术。

1、 欧美 视频 日韩 精品 在线 SoIC 技术

SoIC (系统整合芯片)是一种基于欧美 视频 日韩 精品 在线的 CoWoS Chip on wafer on Substrate )与多晶圆堆叠( WoW )欧美 视频 日韩 精品 在线技术开发的新一代创新欧美 视频 日韩 精品 在线技术。其采用 TSV 技术,可以达到无凸起的键合结构,它是业界第一个高密度 3D 小芯片堆叠技术,可将不同尺寸、功能、制程节点的芯粒异质整合。

SoIC 技术 的主要特点是将有源和无源芯片集成到新的集成 SoC 系统中,该系统在电气上与本机 SoC 相同,以实现更好的外形尺寸和性能。这意味着 SoIC 技术可以实现更高效的芯片堆叠,从而提高了系统的性能和集成度。

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2、 英特尔 Foveros 技术

Foveros 2019 Intel 首次推出,是一种先进的 3D 面对面芯片堆叠欧美 视频 日韩 精品 在线工艺技术。 其在 欧美 视频 日韩 精品 在线基底之上安放一个底层芯片,起到主动中介层的作用。在中介层里有大量的TSV 3D硅穿孔,负责联通上下的凸块,让上层芯片和模块与系统其他部分通信。

Foveros技术中,一个基本的逻辑芯片位于底部,其顶部可以放置其他有源组件,如另一个逻辑芯片、存储器、 FPGA ,甚至模拟 / 射频芯片。这种技术使得多个芯片可以垂直堆叠,形成一个单一的、高度集成的系统。

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Foveros的主要特点是通过极细间距的 36 微米微凸块(很可能是铜柱)进行面对面 (F2F) 芯片对芯片键合。这一特点使得 Foveros 技术在欧美 视频 日韩 精品 在线领域具有显著的优势。 F2F 流程相对简单。对底部和顶部芯片进行凸块处理,然后进行背面研磨,最后进行分割。这种流程使得Foveros技术的生产效率较高,并且能够实现高精度的芯片对芯片键合。 同时, F2F 具有 互连密度扩展和较低的电线寄生效应 的优势 。这意味着使用Foveros技术可以大大提高芯片之间的连接密度,同时减少电线的寄生效应,从而提高系统的性能和稳定性。这对于高性能的应用程序尤为重要。

越发重要的 DTCO

芯片制造从最早的 2D欧美 视频 日韩 精品 在线到现在的2.5D和3D欧美 视频 日韩 精品 在线,整体向着更强的性能和更低的功耗发展,总体上整个产业都向着欧美 视频 日韩 精品 在线所努力的两个方向发展,即:2D的平面式微缩推进到3D的整合和提升芯片的高能效表现。我们谈完2D到3D的发展,各位读者就能发现:芯片设计的复杂度越来越高,Fab(半导体制造厂)很多时候没有办法使用一些简单地电路设计就去评估不同的工艺选项,而必须越来越多地依赖Fabless(无晶圆厂半导体公司)客户的反馈来调整工艺。这就引出了一个全新的赛道——电路设计与工艺协同优化(design technology co-optimization,DTCO)

总的来说, DTCO是一个相当宽泛的概念,涵盖了任何将欧美 视频 日韩 精品 在线和具体电路设计进行协同优化的措施。简单来说,DTCO就是根据半导体芯片的具体要求去优化欧美 视频 日韩 精品 在线。

DTCO的实践中,Fab在开发新一代工艺时,通常会使用一些常规的电路设计来评估各种新一代工艺中的选项,从而决定最佳方案。这种做法有助于确保工艺与电路设计的最佳协同。

另一方面, Fab也会与合作的Fabless合作,提供早期评估版本的PDK(工艺设计套件)。Fabless使用PDK来设计一些关键电路并评估其性能,然后为Fab提供反馈,帮助Fab迭代工艺设计。这种合作模式有助于确保工艺与电路设计的紧密配合,从而实现最佳的性能和可靠性。 image.png

目前,随着欧美 视频 日韩 精品 在线的发展,摩尔定律的延续变得越来越具有挑战性,开发和使用新一代欧美 视频 日韩 精品 在线的成本越来越高,同时性能提升也越来越小。因此,借助DTCO来优化欧美 视频 日韩 精品 在线和电路设计变得越来越重要。未来, DTCO 将进一步发展为 STCO System-Technology Co-Optimization ),即在常规电路 - 工艺优化之外额外考虑 2.5D/3D IC 欧美 视频 日韩 精品 在线的协同优化。这种协同优化可以进一步改善芯片的性能和可靠性,同时降低成本。根据顶级半导体研究机构 IMEC 的分析, DTCO STCO 10nm 开始对于欧美 视频 日韩 精品 在线节点进一步演进起的作用越来越大,并逐渐取代之前摩尔定律中的简单减小工艺特征尺寸的模式。这意味着,通过 DTCO STCO 的协同优化,可以实现更先进的欧美 视频 日韩 精品 在线和更高的性能。




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